Silicon carbon — picos de absorción FTIR y asignaciones

Respuesta rápida

Silicon carbon se asigna generalmente buscando un grupo recurrente de picos característicos en lugar de un número exacto de libro de texto. La siguiente tabla muestra dónde la literatura coloca con mayor frecuencia este grupo en FTIR, clasificado por evidencia acumulada.

Picos FTIR característicos para Silicon carbon

Mostrando los 30 picos mejor respaldados de 129 totales para Silicon carbon.

Materiales posibles

Lógica de espectro

Una asignación de grupo funcional se vuelve más confiable cuando varias bandas esperadas aparecen juntas. Use esta página para encontrar los picos con mayor soporte, luego confirme que la misma muestra exhibe un patrón coherente en lugar de un solo acierto aislado.

Uso en el mundo real

Estas páginas son útiles para el análisis de materiales desconocidos, la explicación de picos en informes, la resolución de problemas de polímeros y la verificación de si una familia de materiales candidata es químicamente plausible.

Errores comunes

• Usar una página de grupo funcional como veredicto completo del material sin verificar el resto del espectro.
• Asumiendo que la banda más fuerte es siempre la más diagnóstica.
• Olvidar que el procesamiento, los aditivos, el envejecimiento y las mezclas pueden desplazar o ensanchar los picos esperados.

Consejo de verificación

Utilice DSC, GC-MS o TGA cuando varias familias de materiales compartan bandas similares o cuando los efectos de mezcla hagan incierta la asignación de FTIR.

Literatura detrás de estas asignaciones

• 796 cm⁻¹ confianza 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ confianza 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ confianza 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ confianza 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ confianza 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ confianza 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ confianza 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ confianza 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176