Silicon carbon — FTIR-absorptions-toppe og tildelinger

Hurtigt svar

Silicon carbon tildeles normalt ved at lede efter en tilbagevendende klynge af karakteristiske toppe frem for et præcist lærebogsnummer. Tabellen nedenfor viser, hvor litteraturen oftest placerer denne gruppe i FTIR, rangeret efter akkumuleret evidens.

Karakteristiske FTIR-toppe for Silicon carbon

Viser de 30 bedst understøttede toppe ud af 129 i alt for Silicon carbon.

Mulige materialer

Spektrumlogik

En funktionel gruppetildeling bliver mere sikker, når flere forventede bånd optræder sammen. Brug denne side til at finde de bedst understøttede peaks, og bekræft derefter, at den samme prøve udviser et sammenhængende mønster snarere end et enkelt isoleret hit.

Anvendelse i virkeligheden

Disse sider er nyttige til analyse af ukendte materialer, topforklaring i rapporter, polymerfejlfinding og verifikation af, om en kandidatmaterialefamilie er kemisk plausibel.

Almindelige fejl

• Brug af én funktionel-gruppe-side som en komplet materialebedømmelse uden at kontrollere resten af spektret.
• Antager, at det stærkeste bånd altid er det mest diagnostiske.
• At glemme, at forarbejdning, tilsætningsstoffer, ældning og blandinger kan flytte eller udvide forventede toppe.

Verifikationsrådgivning

Brug DSC, GC-MS eller TGA, når flere materialefamilier deler lignende bånd, eller når blandings-effekter gør FTIR-tildelingen usikker.

Litteratur bag disse tildelinger

• 796 cm⁻¹ tillid 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ tillid 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ tillid 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ tillid 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ tillid 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ tillid 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ tillid 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ tillid 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176