Siliciu siliciu — Vârfuri de absorbție FTIR și atribuiri
Acestea sunt numerele de undă FTIR caracteristice la care Siliciu siliciu tinde să absoarbă, compilate din literatura publicată și clasificate în funcție de dovezile disponibile. Fiecare atribuire poate fi urmărită până la o sursă (DOI) și este validată încrucișat pe baza celor 320,000+ spectre de referință și a grafului nostru de cunoștințe.
Susținut de 8 surse citate
Răspuns rapid
Siliciu siliciu este de obicei atribuit prin căutarea unui grup recurent de vârfuri caracteristice, mai degrabă decât a unui număr exact din manual. Tabelul de mai jos arată unde literatura de specialitate plasează cel mai des acest grup în FTIR, clasificat în funcție de dovezile acumulate.
Vârfuri FTIR caracteristice pentru Siliciu siliciu
| Număr de undă (cm⁻¹) | Fapte suport | Surse citate | Încredere maximă |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Se afișează cele 30 de vârfuri cel mai bine susținute din totalul de 44 pentru Siliciu siliciu.
Materiale posibile
Logica spectrului
O atribuire a grupului funcțional devine mai sigură atunci când mai multe benzi așteptate apar împreună. Utilizați această pagină pentru a găsi vârfurile cel mai bine susținute, apoi confirmați că aceeași probă prezintă un model coerent, mai degrabă decât o singură lovitură izolată.
Utilizare în condiții reale
Aceste pagini sunt utile pentru analiza materialelor necunoscute, explicarea vârfurilor în rapoarte, depanarea polimerilor și verificarea dacă o familie de materiale candidate este chimic plauzibilă.
Greșeli comune
- Utilizarea unei pagini de grup funcțional ca verdict complet al materialului fără a verifica restul spectrului.
- Presupunând că banda cea mai puternică este întotdeauna cea mai diagnostică.
- Uitând că prelucrarea, aditivii, îmbătrânirea și amestecurile pot deplasa sau lărgi vârfurile așteptate.
Sfat de verificare
Utilizați DSC, GC-MS sau TGA atunci când mai multe familii de materiale împărtășesc benzi similare sau când efectele de amestec fac incertă atribuirea FTIR.
Literatura din spatele acestor atribuiri
-
480 cm⁻¹ încredere 1,0
“Înainte de tratamentele de recoacere, unele semne ale prezenței legăturilor Si-Si (bandă slabă centrată la 480 cm-1 atribuită fazei de siliciu amorf) sunt prezente în spectrul materialului așa cum a fost crescut.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ încredere 1,0
“7 (a) Spectre tipice de absorbție, transmisie și reflexie ale cm(cid:3)1 pentru 30 și 60 s Vârfurile Si-Si sunt la 979.56 și 943.58 SiNW-uri verticale prin proces electroless.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ încredere 1,0
“În spectrul Raman, pentru faza amorfă și faza cristalină, modul fononic Si-Si TO apare la aproximativ 480 cm-1 și, respectiv, 520 cm-1.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ încredere 1,0
“Absorbția slabă în regiunea infraroșu apropiat (~400 cm-1) a trei compuși este atribuită legăturilor Si-Si.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ încredere 1,0
“Deoarece în GaAs vârful la 464 cm-1 corespunde modului de întindere longitudinală a perechii [5] se poate imagina că atunci când atomii de Al substituie atomii de Ga cei mai apropiați de situsurile cationice SiAs, legătura Si-Si va deveni oarecum mai slabă datorită unui Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ încredere 1,0
“Singura diferență între FTIR al cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N filme filme filme și și și substrat substrat substrat Si Si Si este este este vârf vârf vârf la la la 411 411 411 cm cm care este văzut doar în filme.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ încredere 1,0
“Insetul este o vedere mărită a vârfului Si-Si la temperatura de 400 ºC și 500 ºC Figura 1 prezintă spectrele Raman ale probei auto-implantate recoaptă la diferite”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ încredere 1,0
“Candidat grup de vârf confirmat de LLM”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
Vedeți Siliciu siliciu în propriul spectru
Încărcați spectrul FTIR și obțineți un raport complet de interpretare — atribuiri de vârfuri cu citări din literatură, potriviri din bibliotecă și o analiză susținută de literatură — în câteva secunde.