Silicium silicium — Pics d＇absorption FTIR et attributions
Voici les nombres d’onde FTIR caractéristiques auxquels Silicium silicium a tendance à absorber, compilés à partir de la littérature publiée et classés selon les éléments probants disponibles. Chaque attribution est traçable jusqu’à une source (DOI) et validée par comparaison croisée avec nos 320,000+ spectres de référence et notre graphe de connaissances.
Ét ayé par 8 sources citées
Réponse rapide
Silicium silicium est généralement attribué en recherchant un groupe récurrent de pics caractéristiques plutôt qu＇un numéro exact de manuel. Le tableau ci-dessous montre où la littérature place le plus souvent ce groupe en FTIR, classé par preuves accumulées.
Pics FTIR caractéristiques pour Silicium silicium
| Nombre d＇onde (cm⁻¹) | Faits à l＇appui | Sources citées | Confiance maximale |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Affichage des 30 pics les mieux soutenus sur 44 au total pour Silicium silicium.
Matériaux possibles
Logique du spectre
Une attribution de groupe fonctionnel devient plus fiable lorsque plusieurs bandes attendues apparaissent ensemble. Utilisez cette page pour trouver les pics les mieux soutenus, puis confirmez que le même échantillon présente un motif cohérent plutôt qu＇un seul résultat isolé.
Utilisation réelle
Ces pages sont utiles pour l＇analyse de matériaux inconnus, l＇explication des pics dans les rapports, le dépannage des polymères et la vérification de la plausibilité chimique d＇une famille de matériaux candidate.
Erreurs courantes
- Utiliser une page de groupe fonctionnel comme verdict complet du matériau sans vérifier le reste du spectre.
- En supposant que la bande la plus forte est toujours la plus diagnostique.
- Oublier que le traitement, les additifs, le vieillissement et les mélanges peuvent décaler ou élargir les pics attendus.
Conseil de vérification
Utilisez DSC, GC-MS ou TGA lorsque plusieurs familles de matériaux partagent des bandes similaires ou lorsque les effets de mélange rendent l＇attribution FTIR incertaine.
Bibliographie derrière ces attributions
-
480 cm⁻¹ confiance 1,0
“Avant les traitements de recuit, une signature de la présence de liaisons Si-Si (bande faible centrée à 480 cm-1 attribuée à la phase de silicium amorphe) est présente dans le spectre du matériau tel que déposé.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ confiance 1,0
“7 (a) Spectres typiques d＇absorption, de transmission et de réflexion de cm(cid:3)1 pour des SiNWs verticales de 30 et 60 s par procédé electroless. Les pics Si-Si sont à 979.56 et 943.58”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ confiance 1,0
“Dans le spectre Raman, pour la phase amorphe et la phase cristalline, le mode phonon Si-Si TO se produit à environ 480 cm-1 et 520 cm-1, respectivement.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ confiance 1,0
“La faible absorption dans la région proche infrarouge (~400 cm-1) de trois composés est attribuée aux liaisons Si-Si.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ confiance 1,0
“Puisque dans GaAs le pic à 464 cm-1 correspond au mode d＇étirement longitudinal de la paire [5] on peut imaginer que lorsque les atomes d＇Al substituent les atomes de Ga les plus proches des sites cationiques SiAs, la liaison Si-Si deviendra quelque peu plus faible en raison d＇un Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ confiance 1,0
“La seule différence entre le FTIR des cm-1 films ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N et et et le substrat Si Si Si est est est le le le pic pic pic à à à 411 411 411 cm cm qui n＇est visible que dans les films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ confiance 1,0
“L＇encart est une vue agrandie du pic Si-Si à la température de 400 ºC et 500 ºC La figure 1 montre les spectres Raman de l＇échantillon auto-implanté recuit à différentes”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ confiance 1,0
“Candidat de groupe de pics confirmé par LLM”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
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